中国企业评价协会主办的2023“新型实体企业TOP100”成果发布暨典型企业分享交流会上，发布了《2023年度新型实体企业TOP100发展报告》及“2023新型实体企业TOP100”榜单，集中呈现国内数实融合优秀成果和最新趋势。立讯精密上榜，位列榜单第41名。此次上榜，是对立讯精密数智化转型升级取得实效实绩的充分认可。

　　VDMOS（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor）是一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件，属于功率MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的一种。 1. VDMOS器件的基本原理 VDMOS器件的工作原理基于MOSFET的基本原理，即通过改变栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。VDMOS器件具有垂直结构，这意味着其漏极、源极和栅极之间的连接是垂直的，而不是水平的。这种结构有助于实现更高的电流密度和更低的导通电阻。 2. VDMOS器件的结构 VDMOS器件的基本结

　　Vdmos（垂直双扩散金属氧化物半导体）和MOS（金属氧化物半导体）是两种不同类型的半导体器件，它们在结构、工作原理、应用等方面都有所区别。 1. 结构差异 Vdmos Vdmos是一种垂直结构的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其特点是在硅片上通过垂直方向的扩散形成源极、漏极和栅极。这种结构使得Vdmos具有较低的导通电阻和较高的耐压能力。 源极 ：位于硅片的顶部。 漏极 ：位于硅片的底部。 栅极 ：通过栅极氧化层与源极和漏极隔离。

　　随着生成式AI技术的快速演进，相关应用已开始向各行业渗透，AI模型在云侧进行训练、端侧进行推理和微调时，产生了巨大的算力需求。RISC-V作为一个开源的指令集架构，近年来产业生态逐渐完善，其微架构的灵活性和可扩展性，将为AI芯片带来很大的技术创新空间和产业化自由度。

　　VDMOS（Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管）器件的厚度对电阻的影响主要体现在以下几个方面： 一、氧化层厚度对电阻的影响 栅氧化层厚度 ： 影响栅电容 ：栅氧化层的厚度直接影响栅电容的大小。较厚的栅氧化层可以减少栅电容，从而提高器件的开关速度。这是因为栅电容的减少降低了器件在开关过程中的电荷存储和释放时间。 影响导通电阻 ：然而，增加栅氧化层的厚度也会带来导

　　近日，第五届中国科学院大学校友创新论坛正式举行，本次论坛聚焦科技前沿领域，旨在搭建高端对话平台，促进产学研深度融合。在大算力时代——AI技术前沿沙龙上，中科驭数高级副总裁、CTO卢文岩博士受邀分享《DPU——连接算力基础设施的“枢纽”》主题演讲，以其深厚的学术背景与丰富的行业经验，向与会嘉宾分享中科驭数DPU芯片如何成为链接和优化算力基础设施的关键组件。

　　VDMOS（Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种基于MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）结构的功率晶体管。它具有较宽的通道和漏极区域，能够承受更大的电流和功率，并具备电压阻断功能代理ip 如何关闭请求。以下是VDMOS器件的具体应用： 一、电子设备领域 LED照明 ：VDMOS在LED照明系统中用于电路变换和放大，确保LED灯能够稳定、高效地发光。 电视背光 ：在液晶电视等显示设备中，VDMOS用于背光

　　2024金证科技节于珠海举办，汇聚了近千位来自证券、基金、银行、信托、保险等行业的高管、业务专家和技术大咖，共同围绕“创新引领·聚智未来”的核心主题，深入探讨金融与科技融合的新路径。在机构服务专场上，中科驭数低时延网络产品线负责人袁晓飞发表了题为《国产低延迟网卡及NDPP平台解决方案》的主题演讲，探索DPU在金融计算的最佳实践。

　　高斯滤波和均值滤波在图像处理中都是常用的平滑滤波方法，但它们之间存在一些关键的区别。以下是两者之间的主要区别： 1. 滤波原理 高斯滤波 ： 是一种线性平滑滤波，它使用高斯函数来计算卷积核中的权重。 高斯滤波的核心思想是对图像中的每一个像素点，用其邻域内像素的加权平均灰度值来替代该点的灰度值，权重由高斯函数决定，距离中心像素点越近的像素点权重越高。 均值滤波 ： 同样是一种平滑滤波方法，但它是通过计算模板内所有像

　　甘肃省庆阳市政府副市长吴宝定、市交通局局长刘俞辰一行到访中科驭数考察调研。中科驭数副总裁朱玉振、品牌公共事务部总经理罗梅参与交流汇报，双方围绕算力规模提升、数字经济生态培育等话题进行深入交流与探讨。

　　今天我们来学习低功耗4G模组 Air780E 的RS485通信，合宙的小伙伴们，学起来吧！ **一、RS485简介 ** 物联网（IoT）在工业场景中的应用越来越广泛，而RS485是一种常见的通信协议，广泛应用于工业自动化和物联网系统中。RS485是一种串行通信标准，主要用于长距离、多节点通信。适用于工业环境中的传感器、执行器、控制器等设备之间的数据传输，且支持多点通信，可以连接多个设备，实现分布式控制。因为具有较好的抗干扰能力，也很适用于噪声环境下

　　高斯滤波和双边滤波在图像处理中都是常用的平滑滤波技术，但它们之间存在一些显著的区别。以下是两者之间的主要区别： 一、基本原理 高斯滤波 ： 是一种线性平滑滤波，适用于消除高斯噪声。 其核心思想是对图像中的每一个像素点，用其邻域内像素的加权平均灰度值来替代该点的灰度值。 高斯滤波的权重由高斯函数决定，距离中心像素点越近的像素点权重越高。 双边滤波 ： 是一种非线性的滤波方法，是结合图像的空间邻近度和像素值相似度的

　　今天我们来讲解低功耗4G模组 Air780E 的串口通信的基本用法，合宙的小伙伴们，学起来吧！ **一、硬件准备 ** 780E开发板一套，包括天线、USB数据线。  USB转TTL工具或线） PC电脑，串口调试工具（例如:llcom、sscom） 二、基本用法 2.1 介绍UART(串口)  UART（通用异步接收器/发送器）是一种串行通信协议，因其多功能性和简单性而被广泛使用。与 I2C 和 SPI 不同，UART 只需要两条线即可运行：TX（发送）和 RX（接收）。该协议允许异步通信，

　　Air780EP是合宙的[低功耗4G模组]之一，支持全系列的AT指令以及LuatOS脚本二次开发。 本文应各位大佬邀请，详细讲解了Air780EP模组FTP应用的多个AT命令示例。 本文同样适用于以下型号： Air700ECQ/Air700EAQ/Air700EMQ Air780EQ/Air780EPA/Air780EPT/Air780EPS Air780E/Air780EX/Air724UG… **一、相关准备工作 **  1.1 硬件准备 合宙EVB_Air780EP开发板一套，包括天线、SIM卡； USB线 软件准备 串口工具 如果没有准备，推荐使用LLCOM： 固件下载

　　随着开关电源的工作频率增加，以及随着同步整流控制器对控制阈值精度以及响应速度要求的不断提高，开关损耗更低、高频特性更好的第三代化合物半导体同步整流将是更好的方案。深圳银联宝科技的同步整流ic U7710SG能有效降低二次侧整流的功耗，提供高性能的解决方案。

　　高斯滤波作为一种广泛使用的图像处理技术，具有以下几个显著的特点： 平滑性 ： 高斯滤波通过卷积操作对图像进行平滑处理，使图像中的高频部分（如噪声、细节纹理）得到抑制，而低频部分（如图像的整体轮廓、背景）则相对保留。这种平滑处理有助于去除图像中的噪声，改善图像质量。 边缘保留 ： 与其他平滑滤波方法相比，高斯滤波在平滑图像的同时能够较好地保留图像的边缘信息。这是因为高斯滤波的权重分布是连续的，并且在中心像素点

　　工控主板在工业控制中扮演着至关重要的角色，它是工业控制系统的核心组件，负责连接、控制和管理各种工业设备，实现自动化生产和智能化管理。具体来说，工控主板在工业控制中的作用可以归纳为以下几个方面：

　　机械加工行业在数字化、信息化进程中，通过MES系统实现数据采集与监控、生产计划与调度、质量管理、设备管理、故障预警与预防等环节的高效运行，推动行业转型升级。

　　中国居民用电的电压是220V，但手机充电器的电压却往往在5V以内，在给手机充电时，充电器会将高压电流通过变压器转变为低压直流，再输送给手机。深圳银联宝科技推荐这款5V2A的充电器芯片U62143S，不仅能快速充电，还能有效保障电池安全！

　　高斯卷积核函数在图像采样中的意义主要体现在以下几个方面： 1. 平滑处理与去噪 平滑图像 ：高斯卷积核函数通过其权重分布特性，即中心像素点权重最高，周围像素点权重逐渐降低，实现了对图像的平滑处理。这种平滑处理通过减小图像中像素之间的差异来模糊图像，有助于去除图像中的高频噪声和细节纹理，使图像看起来更加平滑。 去噪效果 ：在图像的采集或传输过程中，往往会受到各种噪声的干扰。高斯卷积核函数能够通过平滑处理有效地抑