韩国存储大厂 SK 海力士宣布，成功开发全球首款第六代 10 nm级（1c）制程 16Gb DDR5 DRAM，还展示 10 nm等级超微细化储存技术。

　　SK 海力士强调，10 nm级 DRAM 世代传承，微细难度也增加，但以获业界最高性能认可的第五代（1b）为基础，提高设计完成度，率先突破极限国内代理ip静态共享ip。今年会完成 1c 制程 DDR5 DRAM 量产准备，2025 年开始供应产品，引领记忆体市场。

　　SK 海力士以 1b 制程 DRAM 平台扩展开发 1c 制程。SK 海力士技术团队认为，不仅减少制程高度精细化可能的错误，还有将业界最高性能 DRAM 的 1b 制程优势转至 1c 制程。

　　SK 海力士部分 EUV 制程开发新材料，最佳化 EUV 适用制程，确保成本竞争力。1c 制程也革新设计，较前代 1b 生产率提高 30% 以上。

　　1c 制程 DDR5 DRAM 主要用于高性能数据中心，执行速度为 8Gbps，与前代比速度提高 11%，能效也提高 9%。AI 时代，数据中心耗电量持续增加，如云端服务商客户将 SK 海力士 1c DRAM 用于数据中心，电费最高能减少 30%。